На
обложке изображен Жорес Иванович Алфёров (1930–2019),
советский и российский ученый-физик, политический деятель.
Жорес
Иванович Алфёров родился в Витебске. Свое необычное имя будущий
нобелевский лауреат получил в честь французского социалиста Жана Жореса.
Семья его часто переезжала вслед за новыми назначениями по службе отца —
Ивана Карповича, который работал директором различных комбинатов целлюлозной
и деревообрабатывающей промышленности. Поэтому Жорес нередко менял школы.
В 1947 году юноша окончил среднюю школу № 42 в Минске с золотой медалью
и поступил на энергетический факультет Белорусского политехнического
института.
Окончив
первый курс в Минске, Жорес Алфёров вслед за новым назначением отца
переехал в Ленинград и перевелся в Ленинградский
электротехнический институт (ЛЭТИ) на факультет электронной техники. Там он
сходу включился не только в учебу, но и в студенческую жизнь:
в составе стройотряда принимал участие в строительстве Красноборской
ГЭС в Ленинградской области. Алфёров также возглавил студенческое научное
общество факультета, работал в вакуумной лаборатории, где и проводил
свои первые научные исследования. Темой его работ стали пленочные
полупроводниковые элементы.
В
1952 году Жорес с красным дипломом окончил институт по специальности «электровакуумная
техника». Как отличнику, ему дали направление в Ленинградский
физико-технический институт (ЛФТИ) для подготовки кандидатской диссертации
и участия в разработке первых советских транзисторов.
Алфёров
устроился в лабораторию Владимира Тучкевича, которая работала над
получением монокристаллов чистого германия и созданием на их основе диодов
и триодов. Он очень быстро стал первоклассным специалистом по квантовой
физике полупроводников. За несколько лет группа ЛФТИ, в которую входил Алфёров,
создала кремниевые солнечные батареи, германиевые силовые выпрямители,
транзисторы на уровне лучших мировых образцов. Весной 1958 года лаборатория В. М. Тучкевича
получила важный правительственный заказ по разработке полупроводниковых
устройств для первой советской атомной подводной лодки. За выполнение этого
заказа в 1959 году сотрудники лаборатории, в том числе и Алфёров,
были награждены орденами и медалями.
На
основе проведенных исследований в 1961 году Алфёров защитил кандидатскую
диссертацию, посвященную германиевым и кремниевым мощным выпрямителям.
В
1968–1969 годах на базе своего открытия гетероструктур на основе арсенида
галлия и арсенида алюминия Алфёров создал первый в мире гетеролазер,
разрабатывал двойные гетероструктуры, имеющие колоссальное преимущество перед
обычными. Одновременное открытие оптического волокна с малыми потерями
привело к бурному развитию оптоволоконных систем связи. Открытые Алфёровым
гетероструктуры нашли применение в качестве солнечных батарей на
космических спутниках и станциях. В 1970 году ученый стал доктором наук, в
1979 году — академиком. С 1973 по 2004 годы местом работы Алфёрова была
кафедра оптоэлектроники ЛЭТИ. В сфере его научных интересов оказались
исследования свойств наноструктур.
В
1995 году Алфёров со своими сотрудниками успешно испытали инжекционный
гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при
комнатной температуре.
Также
со времен перестройки ученый принимал активное участие в политической
жизни страны. Он неоднократно избирался депутатом Государственной Думы.
В
2000 году Алфёров стал первым российским лауреатом Нобелевской премии после
распада СССР. Фактически Нобелевская премия была присуждена Алфёрову за то, что
он и сотрудники его лаборатории буквально за десять лет (1963–1973)
реализовали все основные схемотехнические идеи, создавшие основу для
большинства современных систем генерации, контроля и управления
когерентными световыми потоками в гетероструктурах на основе GaAs–AlAs.
В
2001 году Жорес Алфёров организовал Фонд поддержки образования и науки
(Алфёровский фонд).
С
2003 года Алфёров занимал пост председателя Научно-образовательного комплекса
«Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.
В
2005 году Жоресу Алфёрову была присуждена одна из самых престижных мировых
премий «Глобальная энергия».
Вклад
Алфёрова в современную физику был признан мировым научным сообществом.
Сверхвысокочастотные усилители сотовых телефонов, плоские экраны мониторов
и телевизоров, инфракрасные компьютерные порты, лазерные декодеры особо
надёжных грузовых меток, мощные светодиодные прожекторы, светофоры,
автомобильные фары, проигрыватели компакт-дисков — все эти устройства
используют специализированные модификации гетерогенных лазеров. Без лазерных
диодных трансмиттеров для оптоволоконных сетей невозможна была бы работа
современного интернета.
Жорес
Алфёров умер 1 марта 2019 года от острой сердечно-лёгочной недостаточности.
Церемония прощания прошла 5 марта в Санкт-Петербургском научном центре РАН, в
тот же день ученый был похоронен на Комаровском кладбище под Петербургом.
В его память была выпущена памятная почтовая марка, названы школы и гимназии
в Минске, Витебске, Архангельске. 16 апреля 2019 года в Санкт-Петербурге
в холле Академического университета, основанного Алфёровым, открыли
памятник этому великому ученому.
