Головяшкин Алексей Николаевич
Пензенский государственный университет,
кандидат технических наук, доцент
SPIN: 2081-3753
Журнал «Молодой ученый»:
Анализ сегнетоэлектрических пленок, моделирование гистерезиса МДП-структур на основе сегнетоэлектрических пленок [подробнее]
Разработка гибкого термоэлектрического модуля на основе кремнезёмной стеклоткани и теллурида висмута (Bi2Te3) с высоким КПД [подробнее]
Расчет порогового напряжения МДП-структуры с учетом парциальных зарядов подвижных носителей заряда [подробнее]
Тематические журналы:
