№11 (115) июнь-1 2016 г.
Авторы:
Добровольский Николай Алексеевич
Рубрика: Технические науки
Страницы: 335-344
Библиографическое описание: Добровольский, Н. А. Объемные FinFET-транзисторы: конструирование на 14 нм узле и ключевые характеристики / Н. А. Добровольский. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2016. — № 11 (115). — С. 335-344. — URL: https://moluch.ru/archive/115/31212/ (дата обращения: 16.11.2024).
Объем: 0,72 а.л.
Статус: Опубликована