Журнал «Молодой ученый»:

Анализ сегнетоэлектрических пленок, моделирование гистерезиса МДП-структур на основе сегнетоэлектрических пленок

№1 (105) январь-1 2016 г.

Авторы: Мартынов Алексей Владимирович, Карташов Сергей Сергеевич, Головяшкин Алексей Алексеевич, Беспалов Евгений Сергеевич, Головяшкин Алексей Николаевич

Рубрика: Технические науки

Страницы: 158-160

Библиографическое описание: Карташов С. С., Головяшкин А. А., Головяшкин А. Н., Беспалов Е. С., Мартынов А. В. Анализ сегнетоэлектрических пленок, моделирование гистерезиса МДП-структур на основе сегнетоэлектрических пленок // Молодой ученый. — 2016. — №1. — С. 158-160.

Объем: 0,23 а.л.

Статус: Опубликована

Текст статьи

Расчет порогового напряжения МДП-структуры с учетом парциальных зарядов подвижных носителей заряда

№4 (84) февраль-2 2015 г.

Авторы: Головяшкин Алексей Алексеевич, Головяшкин Алексей Николаевич

Рубрика: Технические науки

Страницы: 155-157

Библиографическое описание: Головяшкин А. А., Головяшкин А. Н. Расчет порогового напряжения МДП-структуры с учетом парциальных зарядов подвижных носителей заряда // Молодой ученый. — 2015. — №4. — С. 155-157.

Объем: 0,18 а.л.

Статус: Опубликована

Текст статьи