Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет 12 июля, печатный экземпляр отправим 16 июля
Опубликовать статью

Молодой учёный

Теоретический анализ полупроводниковых резистивных цепей

Технические науки
03.04.2018
531
Поделиться
Библиографическое описание
Вахобова, З. К. Теоретический анализ полупроводниковых резистивных цепей / З. К. Вахобова. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2018. — № 13 (199). — С. 50-53. — URL: https://moluch.ru/archive/199/49105/.


В настоящее время, в период широкого развития электронной аппаратуры в различных областях автоматики, радиоэлектроники, вычислительной техники и электроснабжения широко применяются нелинейные резистивные цепи. Неуправляемый полупроводниковый диод, как элемент электрической цепи, представляет собой нелинейное несимметричное активное сопротивление, величина его зависит от полярности и величины приложенного к нему потенциала.

Довольно часто, при рассмотрении работы схем выпрямителей, в которых, как правило, используются диоды, пользуются термином «идеальный диод», под этим понятием подразумевается некое несимметричное сопротивление, величина которого в положительном направлении тока равна нулю, а в противоположном направлении равна бесконечности 1.

Рис. 1. Вольт-амперная характеристика

ВАХ диода можно получить экспериментально или по справочным данным для данного полупроводникового элемента. При аналитическом исследовании схем с вентилями важной задачей является выбор аппроксимирующей функции нелинейного элемента. ВАХ прямого тока полупроводникового диода можно описать функцией вида (рис.1). Здесь, а — коэффициент аппроксимирующей функции, который определяется по методу выбранных точек. Учитывая ВАХ диода, типа Д226 для выбранной точки М имеем, а = 0,41 2.

Предположим, что диод с последовательно соединенным сопротивлением R (рис.2. а) подключается к сети с напряжением

(1)

По второму закону Кирхгофа

(2)

Учитывая аппроксимирующую функцию можно написать:

(3)

После некоторых преобразований получаем следующее уравнение:

,

откуда

(4)

Здесь знак минус, перед радикалом учитывает, что при напряжении

u = 0 ток также будет равен нулю.

На основе уравнения (4) с использованием ЭВМ вычислен и построен график изменения тока в функции времени. На рис.2 б, представлены эти зависимости при различных значениях нагрузочного сопротивления R для входного напряжения.

Предложенная методика позволяет производить анализ установившихся режимов и переходных процессов в цепи при различных параметрах.

u = 100 sint.

Тиристорные полупроводниковые цепи имеют два устойчивых электрических состояния (открытое и закрытое), обладает высоким быстродействием и может коммутировать большие нагрузочные токи. Основным свойством тиристора является возможность задержки момента его отпирания при наличии на нем прямого напряжения. Это свойство тиристора позволяет создавать устройства с регулированием значения выходного напряжения.

С помощью управляющего тока можно управлять моментом включения тиристора. Ток во включенном состоянии тиристора протекает и после снятия тока управления. Отключить анодный ток и восстановить выключенное состояние тиристора, в том числе можно путем снижения тока в полупроводниковом приборе ниже критической величины.

Для тиристоров, так же, как и для диодов существует понятие «идеальный тиристор». Поэтому можно полагать, что сопротивление идеального тиристора в обратном направлении, а также и в прямом закрытом состоянии равно бесконечности. В открытом состоянии прямое сопротивление идеального тиристора равно нулю.

Способ переключения тиристоров током управляющего электрода имеет большое значение. Во-первых, он позволяет за счет управляющего сигнала включать тиристор при различных значениях анодного напряжения. Во-вторых, этот способ дает возможность коммутировать большие токи маломощным управляющим сигналом.

Второй исследуется схема, состоящая из последовательно соединенных тиристора и активного сопротивления (рис. 3б), которая подключена к источнику переменного напряжения.

Рис. 3. а) ВАХ тиристора; б) тиристорно-резистивная цепь

Ток в цепи протекает только тогда, когда открыт тиристор. Это возможно при определенных значениях напряжения источника и тока управления тиристора (рис. 3а). Для указанной схемы, когда U Uвкл и Iу Iу мин наблюдается скачкообразное открытие тиристора с углом включения, равным 90о.

С целью анализа работы рассмотренной цепи, следует воспользоваться нагрузочной характеристикой и характеристикой тиристора. Аналитическое выражение нагрузочной характеристики можно получить на основании второго закона Кирхгофа.

(5)

Уравнение (5) прямой линии, отсекающей на осях координат отрезки при и I = Uвх / Rнаг при (рис. 4а). Точки пересечения нагрузочных линий с характеристикой тиристора определяют режимы работы цепи [3].

Для изображения нагрузочной прямой и вольтамперной характеристики, рассмотрим режим работы тиристора типа КУ 202К при активной нагрузке 820 Ом. При отсутствии управляющего сигнала тиристор блокирован в обоих направлениях и находится под действием напряжения источника. Когда напряжение источника достигает определенной величины, тиристор включается в момент /2 (рис. 4б). При этом напряжение на сопротивлении изменится скачком до амплитудного значения переменного напряжения. Так, напряжение на тиристоре в момент включения изменяется скачком почти до нуля. Длительность прохожнения тока через тиристор и напряжение на сопротивлении нагрузки составляет четверть периода. Значения токов определяется по следующим формулам:

,

при

(6)

(7)

в нашем случае для о

Действующее значение тока:

(8)

для получим,

Таким образом, рассмотренную полупроводниковую резестивную цепь можно анализировать с использованием характеристики тиристора и нагрузочных линий: вольт-амперная характеристика; графики изменения тока; формы кривых напряжения и тока нагрузки.

Литература:

  1. Усманов Э. Г., Абдураимов Э. Х., Каримов Р. Ч. Ночизиқли электр занжирида динамик жараёнларнинг тахлили // Вестник ТашГТУ. — Ташкент- 2010. № 1–2. 72–75 б.
  2. Усманов Э. Г., Абдураимов Э. Х., Каримов Р. Ч. Анализ диодных резистивных цепей //Вестник ТГТУ. — Тошкент, 2012. № 3–4, С.48–51.
  3. Абдураимов Э. Х. ва бошқалар. Электр таъминоти тизимида куч тиристорларини бошқаришда оптоэлектронли резистив занжирларни ишлатиш //ТошДТУ Хабарлари. -Тошкент, 2015. № 2. 103 -108 б.
Можно быстро и просто опубликовать свою научную статью в журнале «Молодой Ученый». Сразу предоставляем препринт и справку о публикации.
Опубликовать статью
Молодой учёный №13 (199) март 2018 г.
Скачать часть журнала с этой статьей(стр. 50-53):
Часть 1 (стр. 1-109)
Расположение в файле:
стр. 1стр. 50-53стр. 109

Молодой учёный