Причины выхода из строя светодиодов с традиционными эпоксидными корпусами-линзами | Статья в журнале «Молодой ученый»

Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет 11 мая, печатный экземпляр отправим 15 мая.

Опубликовать статью в журнале

Авторы: ,

Рубрика: Технические науки

Опубликовано в Молодой учёный №47 (337) ноябрь 2020 г.

Дата публикации: 18.11.2020

Статья просмотрена: 41 раз

Библиографическое описание:

Бикчантаева, Р. Ш. Причины выхода из строя светодиодов с традиционными эпоксидными корпусами-линзами / Р. Ш. Бикчантаева, Н. Р. Гайнуллина. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2020. — № 47 (337). — С. 34-36. — URL: https://moluch.ru/archive/337/75314/ (дата обращения: 03.05.2024).



В данной статье авторы рассматривают различные виды корпусов светодиодов. Так же на чем основывается принцип работы светодиодов. Какие важные критерии в выборе материала необходимо честь при проектировании светодиода. Перечисляются основные причины выхода из строя светодиодов.

Ключевые слова: светодиод,р-n переход, ширина запрещенной зоны, электрон, дырки, выход из строя.

Светодиод — это полупроводниковый прибор, преобразующий электрический ток непосредственно в световое излучение. По-английски светодиод называется light emitting diode, или LED. [1]

В настоящее время светодиоды является весьма актуальными и востребованными. С каждым годом, светодиоды усовершенствуются, разрабатывается и исследуется полный спектр функциональности, улучшаются характеристики.

На данный момент светодиоды можно классифицировать по расчётной мощности, соединениям и виду корпуса. Светодиоды производятся в различных исполнениях корпусов. В данное время можно выделить несколько основных корпусов, такие как:

– —DIP. Это, один из первых вида корпуса, состоящий из линзы, двух контактов и кристалла. Данный вид широко применяется в различных световых приборах.

– —«Пиранья» или Superflux. Данный вид корпуса появился после усовершенствования предыдущего вида корпуса DIP. Различие состоит в том, что в данном виде не два контакта, а уже четыре. Благодаря этому происходит выделение меньшей тепловой энергии, тем самым светодиод меньше нагревается. Использование такие корпусов можно увидеть в автомобильном производстве.

– —SMD. Вид корпуса является самым популярным из выше перечисленных на современном производстве светодиодов. В состав входит универсальный чип, установка которого происходит непосредственно на плате. Широкое применение можно встретить на различных источниках света, осветительных приборах, светодиодных лентах и т. д.

– —COB. Последний из самых популярных корпусов является СОВ. Данный вид корпуса был разработан в последствии доработок технологии SMD. В состав корпуса входит несколько чипов, которые установлены на одной плате на алюминиевой или керамической подложке. [3]

Существуют определенные требования к материалам для окон корпусов, они должны включать в себя:

– — оптическую прозрачность;

– — высокий показатель преломления;

– — химическую инертность;

– —стабильную работу при высоких температурах;

– — герметичностью.

Огромное количество корпусов светодиодов производятся из полимеров с показателем преломления в диапазоне от 1,5 до 1,8. При уменьшении разницы показателя преломления на поверхности полупроводника увеличивается угол внутреннего отражения, благодаря этому, расширяется вывод излучения и увеличивается эффективность вывода излучения. [2]

Корпуса должны выполнять важные функции, защищать светодиоды от механических ударов, вибраций, химических реагентов и влажности. Конструкция состоит из соединённых корпусов, в которые входят аноды и катоды, кристалл (пиксель) светодиода и проводов.

Широко распространенные корпуса на эпоксидной основе. В эпоксидных корпусах образуется механическая связь между анодом и катодом. Если говорить о мощных светодиодах, то тогда используются металлосодержащие спаи, это объясняется тем, что их тепловое сопротивление ниже, чем у эпоксидной смолы.

Главным принципом свечения светодиода является р-n переход. Р-n переход или по-другому электронно-дырочный переход заключается в том, что есть полупроводники n-типа и полупроводники р-типа. В полупроводниках n-типа преобладает количество электронов, а в полупроводниках р-типа –дырки. Дырка- это вакантное, свободное место для электрона из полупроводника n-типа.

Если свободные электроны представляются электронами проводимости и в результате создается электрический ток, то это будет называться полупроводником с электронной проводимостью или проводимостью n-типа. Аналогично, если электрически ток образуется благодаря перемещениям дырок, то она будет иметь название дырочной проводимости или проводимости р-типа.

Р-n переход заключается в следующем:

В полупроводнике n-типа преобладают электроны, а в р-типа дырки. Электроны стараются диффундировать в область р-типа, попадая в данный полупроводник электроны занимают вакантные места дырок, тем самым рекомбинируя между собой. В тоже время р-типе происходит увеличение количества электронов в области дырок. Стык между полупроводниками n-типа и полупроводника р-типа называется валентной зоной. В результате рекомбинации электронов и дырок и при условии, если ширина запрещенной зоны р-n перехода близка к энергии фотонов видимого диапазона изучения, тогда происходит свечение светодиода. Ширина запрещенной зоны электронно-дырочного перехода — это минимальная энергия, необходимая для рекомбинации, перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости. Переход дырок и электронов приводит к образованию некомпенсированного положительного заряда благодаря ионам донорной примеси (n-типа) и отрицательного заряда благодаря ионам акцепторной примеси (р-типа).

Причины выхода из строя светодиодов, к сожалению, достаточно. Первой причиной можно назвать последствием подачи более высокого тока, чем на то рассчитан сам светодиод. Следующим в списке является, самая важная и частая причина, из-за температуры, нагревания светодиода. Часто нагревание светодиода, приведет к его скорому потускнению. Далее идет некачественно выполненный монтаж. Невыполнение рекомендованных условий эксплуатации светодиодов. Нарушение технологического процесса изготовления светодиодов. Последним можно сказать о естественном старении.

В заключение, можно прийти к выводам, что корпуса бывают различной конфигурации, в зависимости от области эксплуатации. Показатель долговечности светодиода можно соблюсти. К примеру, для того чтобы светодиод не нагревался, обеспечить его теплоотводом. Соблюдение всех требований к монтажу, к поверхностному монтажу, к пайке светодиодов к плате печатной, использования качественного клея увеличит качество и строгое соблюдение технологического процесса для установки светодиода так же поможет исключить брак. Мое мнение, что светодиоды в скором времени будут использовать практически во всех осветительных приборах, так как это долговечно, экологично и экономично.

Литература:

  1. Что такое светодиод? — Текст: электронный // URL: https://radiodetali.com/article/all/led-faq.htm (дата обращения 4.11.2020)
  2. Шуберт Ф. Светодиоды / пер. с англ. Под ред. А.Э Юновича — 2-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ. 2008. — С. 238–240
  3. Виды светодиодов и их характеристики. — Текст: электронный // URL: https://xn----dtbchbawj2amueleii7b6i.xn--p1ai/mat-chast/vidy-svetodiodov-i-ih harakteristiki.html (Дата обращения:11.11.2020)
Основные термины (генерируются автоматически): вид корпуса, полупроводник n-типа, DIP, SMD, светодиод, запрещенная зона, корпус, полупроводник р-типа, электрон, валентная зона.


Ключевые слова

светодиод, электрон, р-n переход, ширина запрещенной зоны, дырки, выход из строя

Похожие статьи

Оптические и электрофизические свойства полупроводников...

Кировская, И. А. Оптические и электрофизические свойства полупроводников системы CdS–CdTe / И. А. Кировская, П. Е. Нор.

Основные термины (генерируются автоматически): запрещенная зона, УФА, значение ширины, раствор, гексагональная модификация...

Анализ особенностей типовых конструкций полевых транзисторов...

Подложка выполнена из полупроводника ртипа, т. е. легирована акцепторной примесью и потому обладает дырочной проводимостью.

Важным элементом MOSFET транзисторов является корпус. Оптимальное сочетание кристалла и корпуса обеспечивает создание...

Материал для полупроводниковых детекторов

полупроводниковый детектор, чувствительная область, арсенид галлия, запрещенная зона, ионизирующее излучение, валентная зона, время жизни, время жизни электронов, детектор, центр, электрон. Анализ газочувствительности полупроводниковых...

Состояние примесных атомов с глубокими уровнями...

В условиях сильной компенсации, в полупроводниках, концентрация равновесных носителей тока становится в сотни тысячи или миллионы

Таким образом, концентрация электроактивных атомов марганца (и элементов группы железа) в кремнии зависит от типа и концентрации...

История в загадках. Петр I. Царь-реформатор | Статья в журнале...

Подводя итог вышеописанного вида работы, можно сделать вывод, что он сочетает в себе исследовательскую деятельность с творческим подходом в подаче материала для определенной возрастной категории слушателей, что определяет высокую степень его...

Основные проблемы формирования нано- и гетероструктур на...

В тоже время, полупроводниковые твердые растворы на основе А3В5, в которых можно управлять шириной запрещенной зоны путем изменения состава, получать сверхструктурные фазы и доменную структуру, являются основными материалами полупроводниковой...

Модель интеллектуального пункта пропуска таможенных органов...

В статье авторы представляют подход к реализации модели интеллектуального пункта пропуска, основанной на создании единой цифровой платформы, объединяющей информационные базы различных контролирующих органов в пункте пропуска.

Использование арсенид галлия в полупроводниковых детекторах

арсенид галлия, запрещенная зона, ионизирующее излучение, полупроводниковый детектор, чувствительная область, валентная зона, время жизни, время жизни электронов, детектор, центр, электрон.

Инструкция: Поиск публикаций автора на eLIBRARY.RU

тип публикации . Помимо классических статей доступны книги, рукописи, диссертации, представленные на конференциях материалы, выпущенные отчеты или зарегистрированные патенты

Похожие статьи

Оптические и электрофизические свойства полупроводников...

Кировская, И. А. Оптические и электрофизические свойства полупроводников системы CdS–CdTe / И. А. Кировская, П. Е. Нор.

Основные термины (генерируются автоматически): запрещенная зона, УФА, значение ширины, раствор, гексагональная модификация...

Анализ особенностей типовых конструкций полевых транзисторов...

Подложка выполнена из полупроводника ртипа, т. е. легирована акцепторной примесью и потому обладает дырочной проводимостью.

Важным элементом MOSFET транзисторов является корпус. Оптимальное сочетание кристалла и корпуса обеспечивает создание...

Материал для полупроводниковых детекторов

полупроводниковый детектор, чувствительная область, арсенид галлия, запрещенная зона, ионизирующее излучение, валентная зона, время жизни, время жизни электронов, детектор, центр, электрон. Анализ газочувствительности полупроводниковых...

Состояние примесных атомов с глубокими уровнями...

В условиях сильной компенсации, в полупроводниках, концентрация равновесных носителей тока становится в сотни тысячи или миллионы

Таким образом, концентрация электроактивных атомов марганца (и элементов группы железа) в кремнии зависит от типа и концентрации...

История в загадках. Петр I. Царь-реформатор | Статья в журнале...

Подводя итог вышеописанного вида работы, можно сделать вывод, что он сочетает в себе исследовательскую деятельность с творческим подходом в подаче материала для определенной возрастной категории слушателей, что определяет высокую степень его...

Основные проблемы формирования нано- и гетероструктур на...

В тоже время, полупроводниковые твердые растворы на основе А3В5, в которых можно управлять шириной запрещенной зоны путем изменения состава, получать сверхструктурные фазы и доменную структуру, являются основными материалами полупроводниковой...

Модель интеллектуального пункта пропуска таможенных органов...

В статье авторы представляют подход к реализации модели интеллектуального пункта пропуска, основанной на создании единой цифровой платформы, объединяющей информационные базы различных контролирующих органов в пункте пропуска.

Использование арсенид галлия в полупроводниковых детекторах

арсенид галлия, запрещенная зона, ионизирующее излучение, полупроводниковый детектор, чувствительная область, валентная зона, время жизни, время жизни электронов, детектор, центр, электрон.

Инструкция: Поиск публикаций автора на eLIBRARY.RU

тип публикации . Помимо классических статей доступны книги, рукописи, диссертации, представленные на конференциях материалы, выпущенные отчеты или зарегистрированные патенты

Задать вопрос